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| 标准包装 | 75 |
| Amplifier 型 | General Purpose |
| 数字电路 | 2 |
| Output 型 | - |
| 转换率 | 20 V/µs |
| 增益带宽积 | 8MHz |
| -3db带宽 | - |
| 电流 - 输入偏压 | 5pA |
| - 输入电压偏移 | 500µV |
| 电流 - 电源 | 4mA |
| 电流 - 输出/通道 | 40mA |
| None | 5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 8SOIC |
| 每个芯片的通道数 | 2 |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 典型增益带宽积 | 8 MHz |
| 典型的转换率 | 20@±15V V/us |
| 输入失调电压 | 2@±15V mV |
| 输入偏置电流 | 0.00005@±15V uA |
| 典型输入噪声电压密度 | 23@±15V nV/rtHz |
| 低CMRR | 86 dB |
| 小双电源电压 | ±2.5 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 典型的同相输入噪声电流密度 | 0.003@±15V pA/rtHz |
| 典型电压增益 | 120 dB |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 制造商类型 | High Speed Amplifier |
| 轨至轨 | No |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 双电源电压 | ±18 |
| 输入偏置电流 | 0.00005@±15V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 典型增益带宽积 | 8 |
| 典型电压增益 | 120 |
| 电源类型 | Dual |
| 低CMRR | 86 |
| 低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 高工作温度 | 85 |
| 小双电源电压 | ±2.5 |
| 典型双电源电压 | ±15 |
| 关机支持 | No |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.00005@±15V |
| 输入失调电压 | 2@±15V |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 封装 | Tube |
| 典型的转换率 | 20@±15V |
| 技术 | BiFET |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 输出/通道 | 40mA |
| 放大器类型 | General Purpose |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 电流 - 电源 | 4mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 20 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 5pA |
| 电压 - 输入偏移 | 500µV |
| 电路数 | 2 |
| 增益带宽积 | 8MHz |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入失调电压 | 2 mV |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | SOIC |
| 元件数 | 2 |
| 共模抑制比 | 86 dB |
| 工作温度分类 | Industrial |
| Dual Supply Voltage (Typ) | �15 V |
| 输入偏置电流 | 0.05 nA |
| 电源要求 | Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | �2.5 V |
| 铁/铁I / O类型 | No |
| 关机功能 | No |
| 弧度硬化 | No |
| 单电源电压( 小值) | Not Required V |
| 单电源电压( 值) | Not Required V |
| 单电源电压(典型值) | Not Required V |
| Dual Supply Voltage (Max) | �18 V |
| 电压增益(dB) | 120 dB |
| 单位增益带宽积 | 8MHz |
| 案例 | SO8 |
| Integrated circuit type | operational amplifier |
| Gross weight | 6.47 g |
| Number of channels | 2 |
| Multiplicity | 1 |
| Collective package [pcs] | 23 |
| spg | 23 |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -40 to 125 |
| Package | Pins | SOIC (D) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 75 | TUBE |
| New Flag | |
| Functional Diagram | |
| CMRR | 96 |
| GBW | 8 |
| Reference Design | |
| HiRel | |
| Package Group | PDIP SOIC |
| BW @ Acl | |
| Vs | 36 |
| 通道数 | 2 |
| Iib | |
| 附加功能 | |
| Rail-to-Rail | |
| 工作温度范围 | -40 to 125 |
| IIB | 50 |
| Datasheet | SBOS054A |
| 建筑 | |
| Vn at Flatband | |
| Iq per channel | 4.8 |
| TI Design | |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) | 0.5 |
| Rating | Catalog |
| Offset Drift | 2 |
| Vn at 1kHz | 8 |
| Total Supply Voltage | 5 |
| Acl, min spec gain | |
| Settling Time (01%) | |
| Offset Voltage Drift (+/-) | |
| Io | |
| 典型双电源电压 | ±15V |
| 典型电压增益 | 120 dB |
| 典型增益带宽积 | 8MHz |
| 高工作温度 | +85°C |
| 典型转换速率 | 20V/µs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 电源类型 | 双 |
| 低工作温度 | -40°C |
| 高度 | 1.58mm |
| 宽度 | 3.91mm |
| 封装类型 | SOIC |
| 引脚数目 | 8 |
| 长度 | 4.9mm |
| 每片芯片通道数目 | 2 |
| 尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 典型输入电压噪声密度 | 23nV/√Hz |
| 工作电源电流 | 4 mA |
| 工厂包装数量 | 75 |
| Ib - Input Bias Current | 50 pA |
| 工作电源电压 | 36 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品 | Operational Amplifiers |
| GBP - Gain Bandwidth Product | 8 MHz |
| 品牌 | Texas Instruments |
| CMRR - Common Mode Rejection Ratio | 94 dB |
| 高工作温度 | + 125 C |
| SR - Slew Rate | 20 V/us |
| en - Input Voltage Noise Density | 23 nV/sqrt Hz |
| 长度 | 4.9 mm |
| 电压增益dB | 120 dB |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vos - Input Offset Voltage | 2 mV |
| 系列 | OPA2132 |
| 身高 | 1.58 mm |
| 低工作温度 | - 40 C |
| usewith | DAPSIGCNDBRDBPEVM |
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