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产品详情
Product details
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（ ） | 15A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（ ） | 80V |
| Vce饱和（ ）@ IB，IC | 400mV @ 400mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止（ ） | - |
| 直流电流增益（HFE）（ 小值）@ IC，VCE | 20 @ 4A, 1V |
| 功率 - | 83W |
| 频率转换 | 50MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极 直流电流 | 15 A |
| 小直流电流增益 | 35@2A@1V|20@4A@1V |
| 工作频率 | 50(Typ) MHz |
| 集电极发射极饱和电压 | 0.4@0.4A@8A|0.8@3A@15A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 功率耗散 | 83000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极 直流电流 | 15 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 低工作温度 | -55 |
| 基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Typ) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 功率耗散 | 83000 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 集电极发射极电压 | 80 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（ ） | 15A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度（ ） Ib，Ic条件 | 400mV @ 400mA, 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（ ） | 80V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - | 83W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（ 小值） Ic，Vce时 | 20 @ 4A, 1V |
| 其他名称 | D44VH10GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Dual Collector, Single |
| 外形尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
| 身高 | 15.75mm |
| 长度 | 10.28mm |
| 的基射极饱和电压 | 1.2 V |
| 基地发射极电压 | 7 V |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 宽度 | 4.82mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.8 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 直流集电极/增益hfe 小值 | 35 |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 集电极 - 发射极 电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 15 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| Transition Frequency ft | :50MHz |
| 功耗 | :83W |
| DC Collector Current | :15A |
| DC Current Gain hFE | :35 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :400mV |
| Current Ic Continuous a Max | :15A |
| Gain Bandwidth ft Typ | :50MHz |
| Hfe Min | :20 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Weight (kg) | 0.12 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Collector | 15A |
| Current,Gain | 20 |
| 频率 | 50MHz |
| PackageType | TO-220AB |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 83W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 1.5°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 80V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 80V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.8V |
| Voltage,EmittertoBase | 7V |
| 案例 | TO220 |
| Transistor type | NPN |
| 功率 | 83W |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 100V |
| Gross weight | 2.72 g |
| Collector current | 15A |
| Collective package [pcs] | 250 |
| spg | 250 |
电子元器件专业配套 配套范围内：
集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
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