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| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压(VDSS) | 250V |
| 电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 38A |
| Rds( )@ ID,VGS | 75 mOhm @ 23A, 10V |
| VGS(TH)( )@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷(Qg)@ VGS | 210nC @ 10V |
| 输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5400pF @ 25V |
| 功率 - | 280W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 250 V |
| 连续漏极电流 | 38 A |
| RDS -于 | 75@10V mOhm |
| 门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 22 ns |
| 典型上升时间 | 99 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 典型下降时间 | 92 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| P( TOT ) | 280W |
| 匹配代码 | IRFP264PBF |
| R( THJC ) | 0.45K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 小起订量 | 500 |
| Q(克) | 210nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我(D ) | 38A |
| V( DS ) | 250V |
| 技术 | 3rd Gen. |
| 的RDS(on ) at10V | 0.075Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38A (Tc) |
| 的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 其他名称 | *IRFP264PBF |
| 开态Rds( )@ Id ,V GS | 75 mOhm @ 23A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 280W |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 5400pF @ 25V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 210nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 身高 | 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 漏源电阻 | 0.075 Ω |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 功率耗散 | 280 W |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 210 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 5400 pF V @ 25 |
| 宽度 | 5.31mm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 38 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS(ON) | 75 mOhms |
| 功率耗散 | 280 W |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 上升时间 | 99 ns |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 92 ns |
| 漏极电流( 值) | 38 A |
| 频率( ) | Not Required MHz |
| 栅源电压( 值) | �20 V |
| 输出功率( ) | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.075 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 250 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :38A |
| Drain Source Voltage Vds | :250V |
| On Resistance Rds(on) | :75mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :280W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247AC |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| Current Id Max | :38A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :0.45°C/W |
| 引线间距 | :5.45mm |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :150A |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :250V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
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