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SI7852DP-T1-E3 出售原装 QFN8集成电路芯片 深圳现货供应

集成电路(IC)产品原装SI7852DP-T1-E3集成电路,欢迎选购!

¥5.50
¥4.99
¥4.50
起订量
10-49PCS
50-99PCS
≥100PCS
封装
QFN8
¥5.50/PCS 5000PCS可售
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品牌 :
原装
型号 :
SI7852DP-T1-E3
功率 :
1
特色服务 :
2
类型 :
其他IC
封装 :
QFN8
产品详情
Product details
标准包装3,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)80V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C7.6A
Rds( )@ ID,VGS16.5 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)( )@ Id2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS41nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的-
功率 - 1.9W
安装类型Surface Mount
包/盒PowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
包装材料Tape & Reel (TR)
包装8PowerPAK SO
通道模式Enhancement
漏源电压80 V
连续漏极电流7.6 A
RDS -于16.5@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间17 ns
典型上升时间11 ns
典型关闭延迟时间40 ns
典型下降时间31 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
门源电压±20
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
低工作温度-55
包装高度1.04
功率耗散1900
渠道类型N
封装Tape and Reel
漏源电阻16.5@10V
漏源电压80
每个芯片的元件数1
包装宽度5.89
供应商封装形式PowerPAK SO
包装长度4.9
PCB8
连续漏极电流7.6
引脚数8
铅形状No Lead
单位包0
小起订量1
FET特点Standard
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C7.6A (Ta)
的Vgs(th ) ( )@ Id2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)80V
供应商设备封装PowerPAK® SO-8
开态Rds( )@ Id ,V GS16.5 mOhm @ 10A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 1.9W
闸电荷(Qg ) @ VGS41nC @ 10V
封装/外壳PowerPAK® SO-8
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
其他名称SI7852DP-T1-E3CT
工厂包装数量3000
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
配置Single
源极击穿电压+/- 20 V
连续漏极电流7.6 A
安装风格SMD/SMT
RDS(ON)16.5 mOhms
功率耗散1.9 W
低工作温度- 55 C
封装/外壳PowerPAK SO-8
零件号别名SI7852DP-E3
上升时间11 ns
高工作温度+ 150 C
漏源击穿电压80 V
RoHSRoHS Compliant By Exemption
下降时间11 ns
Continuous Drain Current Id:12.5A
Drain Source Voltage Vds:80V
On Resistance Rds(on):16.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:2V
功耗:1.9W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:PowerPAK SO
No. of Pins:8
MSL:MSL 1 - Unlimited
Current Id Max:7.6A
工作温度范围:-55°C to +150°C
端接类型:SMD
Voltage Vds Typ:80V
Voltage Vgs Max:20V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

电子元器件专业配套 配套范围内:

集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 

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源自:深圳市铭顺信电子有限公司


官网:www.msxic.cn


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SI7852DP-T1-E3【出售原装】QFN8集成电路芯片深圳现货供应示例图4
 

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