SIHG20N50C-E3 20A500V TO-247 场效应管 电子元器件配套 BOM表配单

标准包装 500

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 500V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 20A

Rds（最大）@ ID，VGS 270 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id 5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS 76nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 2942pF @ 25V

功率 - 最大 292W

安装类型 Through Hole

包/盒 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247AC

包装材料 Bulk

包装 3TO-247AC

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 500 V

最大连续漏极电流 20 A

RDS -于 270@10V mOhm

最大门源电压 ±30 V

典型导通延迟时间 80 ns

典型上升时间 27 ns

典型关闭延迟时间 32 ns

典型下降时间 44 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Through Hole

标准包装 Rail / Tube

最大门源电压 ±30

包装宽度 5.31(Max)

PCB 3

最大功率耗散 250000

最大漏源电压 500

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 270@10V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 TO-247AC

标准包装名称 TO-247

最高工作温度 150

渠道类型 N

包装长度 15.87(Max)

引脚数 3

包装高度 20.7(Max)

最大连续漏极电流 20

标签 Tab

铅形状 Through Hole

单位包 500

最小起订量 500

FET特点 Standard

封装 Bulk

安装类型 Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 20A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 5V @ 250µA

供应商设备封装 TO-247AC

其他名称 SIHG20N50CE3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 270 mOhm @ 10A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 292W

漏极至源极电压（Vdss） 500V

输入电容（Ciss ） @ VDS 2942pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS 76nC @ 10V

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