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21N65M5 TO-220FP 650V N沟道场效应MOSFET现货供应STF21N65M5

场效应管产品SSTF21N65M5STF21N65M5,欢迎选购!

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品牌 :
S
型号 :
STF21N65M5
种类 :
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 :
N沟道
导电方式 :
增强型
产品详情
Product details
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C17A
Rds( )@ ID,VGS190 mOhm @ 8.5A, 10V
VGS(TH)( )@ Id5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS50nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1950pF @ 100V
功率 - 30W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP
包装材料Tube
包装3TO-220FP
通道模式Enhancement
漏源电压650 V
连续漏极电流17 A
RDS -于190@10V mOhm
门源电压25 V
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
门源电压25
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
标准包装名称TO-220F
低工作温度-55
渠道类型N
封装Tube
漏源电阻190@10V
漏源电压650
每个芯片的元件数1
供应商封装形式TO-220FP
功率耗散30000
连续漏极电流17
引脚数3
铅形状Through Hole
P( TOT )30W
匹配代码STF21N65M5
R( THJC )4.17K/W
LogicLevelNO
单位包50
标准的提前期14 weeks
小起订量1000
Q(克)50nC
无铅DefinRoHS-conform
汽车NO
我(D )17A
V( DS )650V
技术MDmeshV
的RDS(on ) at10V0.179Ohm
FET特点Standard
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C17A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)650V
供应商设备封装TO-220FP
开态Rds( )@ Id ,V GS190 mOhm @ 8.5A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 30W
输入电容(Ciss ) @ VDS1950pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS50nC @ 10V
封装/外壳TO-220-3 Full Pack
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
外形尺寸10.4 x 4.6 x 16.4mm
身高16.4mm
长度10.4mm
漏源电阻0.179 Ω
高工作温度+150 °C
功率耗散30 W
包装类型TO-220FP
典型栅极电荷@ VGS50 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS1950 pF @ 100 V
宽度4.6mm
安装风格Through Hole
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
源极击穿电压25 V
连续漏极电流17 A
RDS(ON)150 mOhms
功率耗散30 W
低工作温度- 55 C
封装/外壳TO-220-3 FP
漏源击穿电压650 V
RoHSRoHS Compliant
栅极电荷Qg50 nC
Continuous Drain Current Id:17A
Drain Source Voltage Vds:650V
On Resistance Rds(on):0.15ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:4V
功耗:30W
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220FP
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)





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