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FDPF18N50 500V TO-220F场效应MOSFET实物拍摄深圳现货18N50

场效应管产品FFDPF18N50FDPF18N50 500V TO-220F场效应,欢迎选购!

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1-99
≥100
可售量
4500
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品牌 :
F
型号 :
FDPF18N50
种类 :
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 :
N沟道
导电方式 :
增强型
封装 :
TO-220F
产品详情
Product details
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C18A
Rds( )@ ID,VGS265 mOhm @ 9A, 10V
VGS(TH)( )@ Id5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS60nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的2860pF @ 25V
功率 - 38.5W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F
包装材料Tube
包装3TO-220F
通道模式Enhancement
漏源电压500 V
连续漏极电流18 A
RDS -于265@10V mOhm
门源电压±30 V
典型导通延迟时间55 ns
典型上升时间165 ns
典型关闭延迟时间95 ns
典型下降时间90 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
门源电压±30
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
标准包装名称TO-220F
低工作温度-55
渠道类型N
封装Rail
漏源电阻265@10V
漏源电压500
每个芯片的元件数1
供应商封装形式TO-220F
功率耗散38500
连续漏极电流18
引脚数3
铅形状Through Hole
FET特点Standard
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C18A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)500V
供应商设备封装TO-220F
开态Rds( )@ Id ,V GS265 mOhm @ 9A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 38.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS2860pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS60nC @ 10V
封装/外壳TO-220-3 Full Pack
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸10.16 x 4.7 x 9.19mm
身高9.19mm
长度10.16mm
漏源电阻0.265 Ω
高工作温度+150 °C
功率耗散38.5 W
低工作温度-55 °C
包装类型TO-220F
典型栅极电荷@ VGS45 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS2200 pF V @ 25
宽度4.7mm
工厂包装数量50
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流8 A
封装/外壳TO-220F
下降时间90 ns
产品种类MOSFET
单位重量0.080072 oz
正向跨导 - 闵25 S
RoHSRoHS Compliant
源极击穿电压+/- 30 V
系列FDPF18N50
RDS(ON)265 mOhms
安装风格Through Hole
功率耗散38.5 W
上升时间165 ns
漏源击穿电压500 V







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