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产品详情
Product details
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 18A |
Rds( )@ ID,VGS | 265 mOhm @ 9A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 60nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2860pF @ 25V |
功率 - | 38.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220F |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 500 V |
连续漏极电流 | 18 A |
RDS -于 | 265@10V mOhm |
门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 55 ns |
典型上升时间 | 165 ns |
典型关闭延迟时间 | 95 ns |
典型下降时间 | 90 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220F |
低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
漏源电阻 | 265@10V |
漏源电压 | 500 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220F |
功率耗散 | 38500 |
连续漏极电流 | 18 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 18A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 265 mOhm @ 9A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 38.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2860pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 60nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.16 x 4.7 x 9.19mm |
身高 | 9.19mm |
长度 | 10.16mm |
漏源电阻 | 0.265 Ω |
高工作温度 | +150 °C |
功率耗散 | 38.5 W |
低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220F |
典型栅极电荷@ VGS | 45 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 2200 pF V @ 25 |
宽度 | 4.7mm |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 8 A |
封装/外壳 | TO-220F |
下降时间 | 90 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.080072 oz |
正向跨导 - 闵 | 25 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
系列 | FDPF18N50 |
RDS(ON) | 265 mOhms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 38.5 W |
上升时间 | 165 ns |
漏源击穿电压 | 500 V |
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