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实物拍摄 IRL3103 IRL3103PBF TO-220 可直拍原装MOSFET

绝缘栅(MOSFET)产品原装IRL3103PBF绝缘栅，欢迎选购！

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 7 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	原装	型号 :	IRL3103PBF
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	N沟道
导电方式 :	增强型

产品详情

Product details

标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	64A
Rds（）@ ID，VGS	12 mOhm @ 34A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	33nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1650pF @ 25V
功率 -	94W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
漏源电压	30 V
连续漏极电流	64 A
RDS -于	12@10V mOhm
门源电压	±16 V
典型导通延迟时间	8.9 ns
典型上升时间	120 ns
典型关闭延迟时间	14 ns
典型下降时间	9.1 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±16
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	175
标准包装名称	TO-220
低工作温度	-55
渠道类型	N
漏源电阻	12@10V
漏源电压	30
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-220AB
功率耗散	94000
连续漏极电流	64
引脚数	3
铅形状	Through Hole
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	64A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	1V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	30V
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（）@ Id ，V GS	12 mOhm @ 34A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	94W
输入电容（Ciss ） @ VDS	1650pF @ 25V
其他名称	*IRL3103PBF
闸电荷（Qg ） @ VGS	33nC @ 4.5V
封装/外壳	TO-220-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	16 V
连续漏极电流	56 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	16 mOhms
功率耗散	83 W
封装/外壳	TO-220AB
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant
栅极电荷Qg	22 nC
漏极电流（值）	64 A
频率（）	Not Required MHz
栅源电压（值）	�16 V
输出功率（）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.012 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	TO-220AB
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	30 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
删除	Compliant
Continuous Drain Current Id	:56A
Drain Source Voltage Vds	:30V
On Resistance Rds(on)	:12mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:1V
功耗	:83W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:TO-220AB
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max	:64A
Current Temperature	:25°C
Full Power Rating Temperature	:25°C
Junction to Case Thermal Resistance A	:1.8°C/W
引线间距	:2.54mm
No. of Transistors	:1
工作温度范围	:-55°C to +175°C
Pulse Current Idm	:220A
端接类型	:Through Hole
Voltage Vds Typ	:30V
Voltage Vgs Max	:1V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Voltage Vgs th Max	:2.5V
Voltage Vgs th Min	:1V

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源自：深圳市铭顺信电子有限公司

官网：www.msxic.cn

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