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CSD25310Q2 丝印2530 WSON6 原装P沟道MOSFET晶体管

场效应管产品TCSD25310Q2沟道mosfet晶体管，欢迎选购！

价加格	¥2.99	¥1.99
起订量	5-49个	≥50个
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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	T	型号 :	CSD25310Q2
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	P沟道
导电方式 :	增强型	封装外形 :	SMD(SO)/表面封装

产品详情

Product details

标准包装	3,000
供应商设备封装	6-SON (2x2)
开态Rds（）@ Id ，V GS	23.9 mOhm @ 5A, 4.5V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 -	2.9W
封装/外壳	6-WDFN Exposed Pad
输入电容（Ciss ） @ VDS	655pF @ 10V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	20A (Ta)
闸电荷（Qg ） @ VGS	4.7nC @ 4.5V
Status	ACTIVE
Temp (oC)	-40 to 85
Package \| Pins	WSON (DQK) \| 6
Device Marking	View
Package QTY \| Carrier	3000 \| LARGE T&R
QGD Typ	0.5
VDS	-20
Functional Diagram
VGS	-8
VGSTH Typ	-0.85
Rds(on) Max at VGS=45V	23.9
Reference Design	Y
Logic Level	Yes
包装	SON2x2
High-Side PMOS
Datasheet	SLPS459A
QGS Typ	1.1
Id peak	-48
配置	Single
TI Design	Y
Rds(on) Max at VGS=18V	89
Rds(on) Max at VGS=25V	32.5
QG Typ	3.6
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 20 V
晶体管极性	P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 850 mV
Qg - Gate Charge	3.6 nC
下降时间	5 ns
安装风格	SMD/SMT
品牌	Texas Instruments
通道数	1 Channel
商品名	NexFET
高工作温度	+ 85 C
晶体管类型	1 P-Channel
正向跨导 - 闵	34 S
Id - Continuous Drain Current	- 9.6 A
长度	2 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	23.9 mOhms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	15 ns
系列	CSD25310Q2
身高	0.75 mm
典型导通延迟时间	8 ns
低工作温度	- 40 C
Pd - Power Dissipation	2.9 W
上升时间	15 ns
技术	Si

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