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品牌 : |
I |
型号 : |
IRFD210 |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : |
N沟道 |
导电方式 : |
增强型 |
用途 : |
AM/调幅 |
封装外形 : |
P-DIT/塑料双列直插 |
材料 : |
ALGaAS铝镓砷 |
封装 : |
DIP4 |
产品详情
Product details
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 3.37(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 1500@10V |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 6.29(Max) |
| 供应商封装形式 | HVMDIP |
| 包装长度 | 5(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 0.6 |
| 引脚数 | 4 |
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