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产品详情
Product details
单位包 | 500 |
小起订量 | 500 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 20A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 250µA |
供应商设备封装 | TO-247AC |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 250 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 278W |
标准包装 | 500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3094pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 170nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 20 A |
正向跨导 - 闵 | 12 S |
RDS(ON) | 250 mOhms |
功率耗散 | 278 W |
低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | TO-247AC |
栅极电荷Qg | 85 nC |
上升时间 | 31 ns |
高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 500 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 56 ns |
栅源电压( 值) | �20 V |
安装 | Through Hole |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-247AC |
引脚数 | 3 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏源导通电压 | 500 V |
弧度硬化 | No |
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