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IRFB31N20D TO-220新年份原装现货供应功率MOSFET IRFB31N20DPBF电子元器件配单

场效应管产品IRIRFB31N20D绝缘栅，欢迎选购！

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 7 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	IR	型号 :	IRFB31N20D
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	N沟道
导电方式 :	增强型	用途 :	AM/调幅
封装外形 :	CER-DIP/陶瓷直插

产品详情

Product details

安装类型	通孔
晶体管材料	Si
类别	功率 MOSFET
长度	10.54mm
典型输入电容值@Vds	2370 pF @ 25 V
系列	HEXFET
通道模式	增强
高度	19.3mm
每片芯片元件数目	1
漏源电阻值	80 mΩ
栅阈值电压	5.5V
Board Level Components	Y
高工作温度	+175 °C
通道类型	N
低工作温度	-55 °C
功率耗散	200 W
栅源电压	±30 V
宽度	4.69mm
尺寸	10.54 x 4.69 x 19.3mm
小栅阈值电压	3V
漏源电压	200 V
典型接通延迟时间	16 ns
典型关断延迟时间	26 ns
封装类型	TO-220AB
连续漏极电流	31 A
引脚数目	3
晶体管配置	单
典型栅极电荷@Vgs	70 nC @ 10 V
工厂包装数量	550
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5.5 V
Qg - Gate Charge	70 nC
封装/外壳	TO-220-3
下降时间	10 ns
封装	Tube
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
配置	Single
高工作温度	+ 175 C
晶体管类型	1 N-Channel
正向跨导 - 闵	17 S
Id - Continuous Drain Current	31 A
长度	10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	82 mOhms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	26 ns
通道模式	Enhancement
身高	15.65 mm
安装风格	Through Hole
典型导通延迟时间	16 ns
低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	200 W
上升时间	38 ns
技术	Si

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