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品牌 : |
S |
型号 : |
STD35P6LLF6 |
种类 : |
结型(JFET) |
沟道类型 : |
N沟道 |
导电方式 : |
耗尽型 |
封装 : |
TO-252 |
批号 : |
环保 |
FET类型 : |
P沟道 |
应用领域 : |
家用电器 |
产品详情
Product details
工厂包装数量 | 2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
晶体管极性 | P-Channel |
封装/外壳 | TO-252-3 |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 30 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
下降时间 | 21 ns |
封装 | Reel |
品牌 | STMicroelectronics |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 P-Channel |
高工作温度 | + 175 C |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 35 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 171 ns |
通道模式 | Enhancement |
系列 | P-channel STripFET |
安装风格 | SMD/SMT |
低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 70 W |
上升时间 | 39 ns |
技术 | Si |
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