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FU9024N IRFU9024N TO251 原装现货供应MOS管

场效应管产品IIRFU9024Np沟道mos管，欢迎选购！

价加格	¥1.99	¥1.39	¥1.29
起订量	10-49个	50-199个	≥200个
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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	I	型号 :	IRFU9024N
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	P沟道
导电方式 :	增强型	封装外形 :	CER-DIP/陶瓷直插

产品详情

Product details

高度	6.22mm
晶体管材料	Si
类别	功率 MOSFET
长度	6.73mm
典型输入电容值@Vds	350 pF@ 25 V
通道模式	增强
安装类型	通孔
每片芯片元件数目	1
最大漏源电阻值	175 mΩ
通道类型	P
Board Level Components	Y
最高工作温度	+150 °C
最大栅阈值电压	4V
最低工作温度	-55 °C
最大功率耗散	38 W
最大栅源电压	±20 V
宽度	2.39mm
尺寸	6.73 x 2.39 x 6.22mm
最小栅阈值电压	2V
最大漏源电压	55 V
典型接通延迟时间	13 ns
典型关断延迟时间	23 ns
封装类型	IPAK
最大连续漏极电流	11 A
引脚数目	3
晶体管配置	单
典型栅极电荷@Vgs	19 nC @ 10 V
Factory Pack Quantity	1500
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 55 V
Transistor Type	1 P-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	175 mOhms
Transistor Polarity	P-Channel
Brand	Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current	- 11 A
Mounting Style	Through Hole
Height	6.22 mm
Packaging	Tube
Width	2.38 mm
Length	6.73 mm
Number of Channels	1 Channel
Qg - Gate Charge	12.7 nC
Pd - Power Dissipation	38 W
Package / Case	TO-251-3
Technology	Si
RoHS	RoHS Compliant

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