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产品详情
Product details
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 4,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.3A |
Rds( )@ ID,VGS | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
VGS(TH)( )@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 17nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8SOIC |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 8.3 A |
RDS -于 | 25@4.5V mOhm |
门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
典型上升时间 | 17 ns |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
典型下降时间 | 6 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
门源电压 | ±12 |
包装宽度 | 4(Max) |
PCB | 8 |
功率耗散 | 2500 |
漏源电压 | 30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
漏源电阻 | 25@4.5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOIC |
标准包装名称 | SOIC |
高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5(Max) |
引脚数 | 8 |
包装高度 | 1.5(Max) |
连续漏极电流 | 8.3 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8.3A (Ta) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 1V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | 8-SO |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 2.5W |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 17nC @ 5V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IRF7807ATRPBFCT |
工厂包装数量 | 4000 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 8.3 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 25 mOhms |
功率耗散 | 2.5 W |
封装/外壳 | SO-8 |
栅极电荷Qg | 17 nC |
上升时间 | 17 ns |
高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 6 ns |
栅源电压( 值) | �12 V |
漏源导通电阻 | 0.025 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOIC |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 30 V |
弧度硬化 | No |
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