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产品详情
Product details
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8.3A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 17nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 8.3 A |
| RDS -于 | 25@4.5V mOhm |
| 门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 门源电压 | ±12 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 功率耗散 | 2500 |
| 漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源电阻 | 25@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 连续漏极电流 | 8.3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 2.5W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF7807ATRPBFCT |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 8.3 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 25 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 栅极电荷Qg | 17 nC |
| 上升时间 | 17 ns |
| 高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 6 ns |
| 栅源电压（ 值） | �12 V |
| 漏源导通电阻 | 0.025 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
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