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SI7884BDP SI7884BDP-T1-GE3 40V MOSFET N-CH 全新原装现货

场效应管产品VSI7884BDP绝缘栅，欢迎选购！

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 6 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	V	型号 :	SI7884BDP
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	N沟道
导电方式 :	增强型	封装外形 :	SMD(SO)/表面封装

产品详情

Product details

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	58A
Rds（）@ ID，VGS	7.5 mOhm @ 16A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	77nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3540pF @ 20V
功率 -	46W
安装类型	Surface Mount
包/盒	PowerPAK® SO-8
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8PowerPAK SO
通道模式	Enhancement
漏源电压	40 V
连续漏极电流	18.5 A
RDS -于	7.5@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	30 ns
典型上升时间	14 ns
典型关闭延迟时间	38 ns
典型下降时间	11 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	150
低工作温度	-55
包装高度	1.04
功率耗散	4600
渠道类型	N
封装	Tape and Reel
漏源电阻	7.5@10V
漏源电压	40
每个芯片的元件数	1
包装宽度	5.89
供应商封装形式	PowerPAK SO
包装长度	4.9
PCB	8
连续漏极电流	18.5
引脚数	8
铅形状	No Lead
单位包	0
小起订量	1
FET特点	Standard
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	58A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	3V @ 250µA
供应商设备封装	PowerPAK® SO-8
开态Rds（）@ Id ，V GS	7.5 mOhm @ 16A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	46W
漏极至源极电压（Vdss）	40V
输入电容（Ciss ） @ VDS	3540pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS	77nC @ 10V
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	SI7884BDP-T1-GE3CT
晶体管极性	:N Channel
Continuous Drain Current Id	:58A
Drain Source Voltage Vds	:40V
On Resistance Rds(on)	:0.0062ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:3V
功耗	:46W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:PowerPAK SO
No. of Pins	:8
MSL	:MSL 1 - Unlimited
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Weight (kg)	0.0001

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