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品牌 : |
SI |
型号 : |
SI3473CDV-T1-GE3 |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : |
P沟道 |
导电方式 : |
增强型 |
用途 : |
AM/调幅 |
封装外形 : |
SMD(SO)/表面封装 |
材料 : |
ALGaAS铝镓砷 |
产品详情
Product details
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压(VDSS) | 12V |
| 电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
| Rds( )@ ID,VGS | 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| VGS(TH)( )@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷(Qg)@ VGS | 65nC @ 8V |
| 输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2010pF @ 6V |
| 功率 - | 4.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSOP (0.065, 1.65mm Width) |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |



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