当前位置：搜好货网 > 深圳市铭顺信电子有限公司 > 原装现货供应MOSFET SI49...

原装现货供应MOSFET SI4946BEY-T1-E3 4946B 贴片SOP 集成电路电子元器件配单

场效应管产品SISI4946BEY-T1-E3绝缘栅，欢迎选购！

价加格	¥2.99	¥2.39
起订量	5-99个	≥100个
可售量	8500 个

立即询价查看联系方式

深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
进入店铺
微信小程序一键拨号更便捷

获取最低报价

商家收到后会立即联系您

同意我们的《隐私政策》并允许推荐给更多优质商家为您提供服务。

请阅读并同意隐私政策

产品分类

相关产品推荐

产品参数
产品详情
联系方式

进入手机版

品牌 :	SI	型号 :	SI4946BEY-T1-E3
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	2 个 N 沟道（双）
导电方式 :	增强型	封装外形 :	SMD(SO)/表面封装

产品详情

Product details

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,500
FET 型	2 N-Channel (Dual)
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	6.5A
Rds（最大）@ ID，VGS	41 mOhm @ 5.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	25nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	840pF @ 30V
功率 - 最大	2.4W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOICN
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8SOIC N
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	60 V
最大连续漏极电流	5.3 A
RDS -于	41@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	20\|10 ns
典型上升时间	120\|12 ns
典型关闭延迟时间	20\|25 ns
典型下降时间	30\|10 ns
工作温度	-50 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
标准包装	Cut Tape
最大门源电压	±20
包装宽度	4(Max)
PCB	8
最大功率耗散	2400
最大漏源电压	60
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	41@10V
每个芯片的元件数	2
最低工作温度	-50
供应商封装形式	SOIC N
标准包装名称	SOIC
最高工作温度	175
渠道类型	N
包装长度	5(Max)
引脚数	8
包装高度	1.55(Max)
最大连续漏极电流	5.3
封装	Tape and Reel
铅形状	Gull-wing
P（ TOT ）	3.7W
匹配代码	SI4946BEY-T1-E3
LogicLevel	YES
单位包	2500
标准的提前期	18 weeks
最小起订量	2500
Q（克）	25nC
LLRDS （上）	0.052Ohm
汽车	NO
LLRDS （上）在	4.5V
我（D ）	6.5A
V（ DS ）	60V
技术	TrenchFET
的RDS（on ） at10V	0.041Ohm
无铅Defin	RoHS-conform
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	6.5A
的Vgs（th ）（最大）@ Id	3V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	60V
供应商设备封装	8-SOIC N
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	41 mOhm @ 5.3A, 10V
FET型	2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大	2.4W
输入电容（Ciss ） @ VDS	840pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS	25nC @ 10V
封装/外壳	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	SI4946BEY-T1-E3CT
类别	Power MOSFET
配置	Dual, Dual Drain
外形尺寸	5 x 4 x 1.55mm
身高	1.55mm
长度	5mm
最大漏源电阻	0.041 Ω
最高工作温度	+175 °C
最大功率耗散	2.4 W
最低工作温度	-50 °C
包装类型	SOIC, SOIC N
典型栅极电荷@ VGS	17 nC V @ 10, 9.2 nC V @ 5
典型输入电容@ VDS	840 pF V @ 30
宽度	4mm
工厂包装数量	2500
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	6.5 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	41 mOhms
功率耗散	3.7 W
商品名	TrenchFET
封装/外壳	SO-8
零件号别名	SI4946BEY-E3
上升时间	120 ns, 12 ns
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
下降时间	30 ns, 10 ns
Continuous Drain Current Id	:6.5A
Drain Source Voltage Vds	:60V
On Resistance Rds(on)	:41mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:20V
Threshold Voltage Vgs	:2.4V
功耗	:2.4W
Operating Temperature Min	:-50°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:SOIC
No. of Pins	:8
MSL	:MSL 1 - Unlimited
Base Number	:4946
Continuous Drain Current Id, N Channel	:6.5A
Current Id Max	:6.5A
Drain Source Voltage Vds, N Channel	:60V
Module Configuration	:Dual
N-channel Gate Charge	:9.2nC
On Resistance Rds(on), N Channel	:0.033ohm
On State Resistance @ Vgs = 4.5V	:52mohm
On State resistance @ Vgs = 10V	:41mohm
工作温度范围	:-50°C to +175°C
端接类型	:SMD
Voltage Vds Typ	:60V
Voltage Vgs Max	:3V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V

搜好货供应商深圳市铭顺信电子有限公司供应原装现货供应MOSFET SI4946BEY-T1-E3 4946B 贴片SOP 集成电路电子元器件配单，为您提供详细的产品报价、参数、图片等商品信息，如需进一步了解原装现货供应MOSFET SI4946BEY-T1-E3 4946B 贴片SOP 集成电路电子元器件配单，请与厂家直接联系，请在联系时说明是在搜好货网看到这条商机的。

为您精选