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品牌 : |
IR |
型号 : |
IRFR320 |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : |
MOSFET N 通道 |
导电方式 : |
增强型 |
用途 : |
AM/调幅 |
封装外形 : |
SMD(SO)/表面封装 |
材料 : |
ALGaAS铝镓砷 |
产品详情
Product details
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压(VDSS) | 400V |
| 电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.1A |
| Rds(最大)@ ID,VGS | 1.8 Ohm @ 1.9A, 10V |
| VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷(Qg)@ VGS | 20nC @ 10V |
| 输入电容(Ciss)@ Vds的 | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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