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产品详情
Product details
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 58 mOhm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 2.2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 520pF @ 10V |
| 功率 - | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| Package | 8SOP |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| RDS-on | 58@10V mOhm |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Typical Rise Time | 40 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 110 ns |
| Typical Fall Time | 80 ns |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Mounting | Surface Mount |
| Standard Package | Tape & Reel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3A, 10V |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Power - Max | 2W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current | 5 A |
| Gate-Source Voltage (Max) | �20 V |
| Power Dissipation | 3 W |
| Drain-Source On-Res | 0.058 ohm |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Polarity | N |
| Type | Power MOSFET |
| Number of Elements | 2 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Drain-Source On-Volt | 60 V |
| Rad Hardened | No |
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