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FDMS86101出售原装N沟道MOSFET深圳现货支持BOM表配单

三极管产品FFDMS86101FDMS86101【出售原装】N沟道MOSFET深圳现货支持BOM表配单，欢迎选购！

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	F	型号 :	FDMS86101
应用范围 :	功率	封装 :	Power 56
批号 :	环保	漏源电压（Vdss） :	20V
漏极电流(Id) :	8 mOhms	漏源导通电阻(RDS :	8 mOhms
最大耗散功率 :	2.5 W	应用领域 :	智能家居

产品详情

Product details

文档	Materials 14/Apr/2009
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12.4A
Rds（最大）@ ID，VGS	8 mOhm @ 13A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	55nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3000pF @ 50V
功率 - 最大	2.5W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-PQFN, Power56
供应商器件封装	Power56
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8Power 56
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	12.4 A
RDS -于	8@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	15 ns
典型上升时间	11 ns
典型关闭延迟时间	27 ns
典型下降时间	7 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	Power 56
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tape and Reel
最大漏源电阻	8@10V
最大漏源电压	100
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	Power 56
最大功率耗散	2500
最大连续漏极电流	12.4
引脚数	8
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12.4A (Ta), 60A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	100V
供应商设备封装	Power56
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	8 mOhm @ 13A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	2.5W
输入电容（Ciss ） @ VDS	3000pF @ 50V
其他名称	FDMS86101TR
闸电荷（Qg ） @ VGS	55nC @ 10V
封装/外壳	8-PQFN, Power56
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Quad Drain, Single, Triple Source
外形尺寸	5.1 x 6.25 x 1.05mm
身高	1.05mm
长度	5.1mm
最大漏源电阻	14 mΩ
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	104 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	Power 56
典型栅极电荷@ VGS	39 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	2255 pF V @ 50
宽度	6.25mm
工厂包装数量	3000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	12.4 A
系列	FDMS86101
单位重量	0.003175 oz
RDS（ON）	8 mOhms
功率耗散	2.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	Power 56
上升时间	11 ns
漏源击穿电压	100 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	7 ns
漏极电流（最大值）	12.4 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.008 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	100 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
删除	Compliant
Continuous Drain Current Id	:60A
Drain Source Voltage Vds	:100V
On Resistance Rds(on)	:0.0084ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:2.9V
功耗	:104W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:Power 56
No. of Pins	:8
MSL	:MSL 1 - Unlimited
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Weight (kg)	0.0005

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