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CSD18532Q5B SON-8 60V N沟道贴片MOSFET出售原装深圳现货

集成电路(IC)产品TCSD18532Q5B60vn沟道贴片,欢迎选购!

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品牌 :
T
型号 :
CSD18532Q5B
封装 :
SON-8
批号 :
环保
应用领域 :
网络通信
产品详情
Product details
标准包装2,500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C23A
Rds(最大)@ ID,VGS3.2 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS58nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的5070pF @ 30V
功率 - 最大3.2W
安装类型Surface Mount
包/盒8-TDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-SON (5x6)
包装材料Tape & Reel (TR)
动态目录N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16218?mpart=CSD18532Q5B&vendor=296&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点Logic Level Gate
封装Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C23A (Ta), 100A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id2.2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)60V
供应商设备封装8-SON (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS3.2 mOhm @ 25A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大3.2W
标准包装2,500
输入电容(Ciss ) @ VDS5070pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS58nC @ 10V
封装/外壳8-TDFN Exposed Pad
其他名称296-35628-1
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
安装风格SMD/SMT
配置Single
晶体管极性N-Channel
最低工作温度- 55 C
源极击穿电压20 V
连续漏极电流172 A
系列CSD18532Q5B
封装/外壳SON-8
RDS(ON)3.3 mOhms
功率耗散3.2 W
商品名NexFET
正向跨导 - 闵143 S
栅极电荷Qg21 nC
典型关闭延迟时间22 ns
上升时间7.2 ns
最高工作温度+ 150 C
漏源击穿电压60 V
RoHSRoHS Compliant
下降时间3.1 ns


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