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品牌 : |
F |
型号 : |
FQL40N50 |
应用范围 : |
功率 |
材料 : |
N-FET硅N沟道 |
导电方式 : |
增强型 |
沟道类型 : |
N沟道 |
封装外形 : |
CER-DIP/陶瓷直插 |
用途 : |
L/功率放大 |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
产品详情
Product details
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 25 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 40A |
Rds( )@ ID,VGS | 110 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 200nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 7500pF @ 25V |
功率 - | 460W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-264-3, TO-264AA |
供应商器件封装 | TO-264 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-264 |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 500 V |
连续漏极电流 | 40 A |
RDS -于 | 110@10V mOhm |
门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 140 ns |
典型上升时间 | 440 ns |
典型关闭延迟时间 | 350 ns |
典型下降时间 | 250 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
高工作温度 | 150 |
低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
漏源电阻 | 110@10V |
漏源电压 | 500 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-264 |
功率耗散 | 460000 |
连续漏极电流 | 40 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 40A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-264 |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 110 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 460W |
封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 7500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 200nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 40 A |
零件号别名 | FQL40N50F_NL |
下降时间 | 250 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.238311 oz |
配置 | Single |
高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 29 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
系列 | FQL40N50F |
RDS(ON) | 110 mOhms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 460 W |
低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 440 ns |
漏源击穿电压 | 500 V |
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