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实物拍摄 FQL40N50 TO264 500V N沟道MOSFET全新现货

三极管产品FFQL40N50绝缘栅，欢迎选购！

价加格	¥16.99	¥16.90
起订量	1-99个	≥100个

封装形式

TO-264

¥16.99/个

8900个可售

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	F	型号 :	FQL40N50
应用范围 :	功率	材料 :	N-FET硅N沟道
导电方式 :	增强型	沟道类型 :	N沟道
封装外形 :	CER-DIP/陶瓷直插	用途 :	L/功率放大
种类 :	绝缘栅(MOSFET)

产品详情

Product details

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	25
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	40A
Rds（最大）@ ID，VGS	110 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	200nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	7500pF @ 25V
功率 - 最大	460W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装	TO-264
包装材料	Tube
包装	3TO-264
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	500 V
最大连续漏极电流	40 A
RDS -于	110@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	140 ns
典型上升时间	440 ns
典型关闭延迟时间	350 ns
典型下降时间	250 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Rail
最大漏源电阻	110@10V
最大漏源电压	500
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-264
最大功率耗散	460000
最大连续漏极电流	40
引脚数	3
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	40A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
供应商设备封装	TO-264
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	110 mOhm @ 20A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	460W
封装/外壳	TO-264-3, TO-264AA
输入电容（Ciss ） @ VDS	7500pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	200nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	40 A
零件号别名	FQL40N50F_NL
下降时间	250 ns
产品种类	MOSFET
单位重量	0.238311 oz
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
正向跨导 - 闵	29 S
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 30 V
系列	FQL40N50F
RDS（ON）	110 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	460 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	440 ns
漏源击穿电压	500 V

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