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产品详情
Product details
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)( ) | 8A |
电压 - 集电极发射极击穿( ) | 150V |
Vce饱和( )@ IB,IC | 500mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止( ) | 100µA |
直流电流增益(HFE)( 小值)@ IC,VCE | 20 @ 4A, 2V |
功率 - | 50W |
频率转换 | 30MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
集电极发射极电压 | 150 V |
集电极 直流电流 | 8 A |
小直流电流增益 | 40@100mA@2V|40@2A@2V|40@3A@2V|20@4A@2V |
工作频率 | 30(Min) MHz |
集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.1A@1A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
功率耗散 | 50000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极 直流电流 | 8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
低工作温度 | -65 |
功率耗散 | 50000 |
基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 30(Min) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
集电极基极电压 | 150 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
集电极发射极电压 | 150 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)( ) | 8A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 30MHz |
下的Vce饱和度( ) Ib,Ic条件 | 500mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止( ) | 100µA |
电压 - 集电极发射极击穿( ) | 150V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - | 50W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)( 小值) Ic,Vce时 | 20 @ 4A, 2V |
其他名称 | MJE15030GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Bipolar Power |
配置 | Single |
外形尺寸 | 9.28 x 10.28 x 4.82mm |
身高 | 9.28mm |
长度 | 10.28mm |
集电极基极电压 | 150 V |
基地发射极电压 | 5 V |
高工作温度 | +150 °C |
低工作温度 | -65 °C |
包装类型 | TO-220AB |
宽度 | 4.82mm |
工厂包装数量 | 50 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe 小值 | 40 |
增益带宽产品fT | 30 MHz |
集电极 - 发射极 电压VCEO | 150 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 150 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 8 A |
集电极电流( DC)( 值) | 8 A |
集电极 - 基极电压 | 150 V |
集电极 - 发射极电压 | 150 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率( ) | 30 MHz |
功率耗散 | 50 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
元件数 | 1 |
直流电流增益( 小值) | 40 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 30 MHz |
集电极电流(DC ) | 8 A |
直流电流增益 | 40 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :150V |
Transition Frequency ft | :30MHz |
功耗 | :2W |
DC Collector Current | :8A |
DC Current Gain hFE | :40 |
Operating Temperature Min | :-65°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Application Code | :PGP |
Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
连续集电极电流Ic | :8A |
Current Ic Continuous a Max | :1A |
Current Ic hFE | :3A |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Gain Bandwidth ft Min | :30MHz |
Gain Bandwidth ft Typ | :30MHz |
Hfe Min | :40 |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
Power Dissipation Ptot Max | :50W |
Pulsed Current Icm | :16A |
Voltage Vcbo | :150V |
Weight (kg) | 0.002 |
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