测试分析、器件选型 、筛选检验IGBT，可控硅，MOS测试仪

EN-2005B功率器件综合测试系统

系统特征

测试范围广（19总大类，27分类）

升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A

采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS

被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏

真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）

系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障

二极管极性自动判断功能，无需人工操作

测试参数

漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益参数：hFE、CTR、gFS

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-

锁定参数：IL、IL+、IL-

混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

间接参数：IL