日本岩崎 替代 易恩栅电荷测试系统
ENS1040栅电荷测试系统
功能指标
测量参数 |
技术条件 |
开启栅电荷QgOn |
Id=1 to 100Amps |
存储电荷Qgs |
Vdd=5 to 95v |
平台电荷Qgd |
Vg=+/-1 to+/-19V |
平台电压PlateauVoltage |
Ig=0.1 to 10ma Id@threshold=100 to 1000ua |
导通电阻RdsOn |
Qg=0.5 to 500nc |
栅电阻Rg |
Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms |
阈值电压GateThresholdVotage |
Gate/Drainwaveform Capture/storage |
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