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PECVD产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点：
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
滑轨管式炉技术参数 |
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石英管尺寸 |
L1400mm Φ（60、80、100） |
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加热元件 |
掺钼铁铬铝合金电阻丝 |
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测温元件 |
K型热电偶 |
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加热区长度 |
400mm |
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恒温区长度 |
200mm |
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工作温度 |
1100 |
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控温模式 |
模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 |
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控温精度 |
±1 |
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升温速率 |
20/min |
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电功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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质量供气系统技术参数 |
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外形尺寸 |
600x600x600mm |
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标准量程 |
50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； |
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压力表测量范围 |
-0.1Mpa0.15Mpa |
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极限压力 |
3MPa |
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针阀 |
316不锈钢 |
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截止阀 |
Φ6mm 316不锈钢针阀 |
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电功率 |
AC220V/50HZ/20W |
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响应时间 |
气特性：14 Sec，电特性：10 Sec |
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准确度 |
±1.5 |
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线性 |
±0.51.5 |
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重复精度 |
±0.2 |
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接口 |
Φ6,1/4'' |
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真空系统技术参数 |
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外型尺寸 |
600×600×600mm |
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工作电电压 |
220V±10 5060HZ |
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功率 |
400W |
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抽气速率 |
4Ls |
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极限真空 |
4X10-2Pa |
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实验真空度 |
1.0X10-1Pa |
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容油量 |
1.1L |
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进气口口径 |
KF25 |
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排气口口径 |
KF25 |
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转速 |
1450rpm |
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射频电源 |
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信号频率 |
13.56 MHz±0.005 |
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功率输出范围 |
3W-300W 5W-500W可选 |
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反射功率 |
200W |
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射频输出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率稳定度 |
±0.1 |
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谐波分量 |
-50dbc |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
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整机效率 |
>=70 |
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功率因素 |
>=90 |
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冷却方式 |
强制风冷 |
||||
袁
2913014075
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