半导体晶圆无图缺陷检测设备 思长约品牌 适用SiC/GaN等化合物晶圆 提供远程技术支持IT电子

当晶圆制造的产线越跑越快，当化合物半导体从实验室走向大规模量产，个容易被忽视却至关重要的环节正在被重新审视：那些尚未经过光刻工序的裸晶圆，它们的表面是否足够干净？来料是否真正符合工艺要求？

在硅衬底样品测试、裸晶圆来料质检、硅片出厂OQC检测等关键节点，无图缺陷检测设备承担着守门人的角色——颗粒、划痕、雾面、微粗糙度，这些在下才现形的表面异常，旦入后续工序，轻则导致良率波动，重则引发整批晶圆报废。尤其在碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料加速上量的当下，半透明衬底与超厚光刻胶带来的检测难题，让传统检测手段愈发捉襟见肘。

上海思长约光学仪器有限公司，简称思长约，正是在这样的行业缝隙中，步步走到台前。2009年起步于精密光学，十余年沉淀，从工业到半导体前道量测与缺陷检测装备，思长约没有选择捷径，而是沿着光路、精密机械、图像算法、测量软件的全栈自研路径，扎扎实实走到今天。无图缺陷检测设备ZP6与ZP7，便是这条路上长出的果实——面向无图形晶圆，识别颗粒、划痕等各类表面异常，适配硅基以及SiC、Ga等化合物晶圆，并可提供远程技术支持。

这不仅仅是台设备的诞生故事，更是群人对产半导体装备自主可控的执念。

始于微光：在精密光学的土壤里埋下种子

2009年，中半导体设备市场还是进口的天下。晶圆厂里运转的量测与检测装备，几乎清色来自海外。价格高昂、交付周期长、售后响应慢，是当时产线工程师们的共同记忆。更让人无力的是，当产线工艺需要调整、算法需要迭代、报表格式需要定制时，海外原厂的反馈链条往往漫长而僵硬。

思长约的创始团队有着十余年精密光学装备研发与产业化的经验。他们太清楚件事：光学底层技术不过关，高端量测设备就是空中楼阁。于是，公司从最基础的精密光学做起，光路设计、精密机械、图像算法、自主测量软件，项项啃。这条路慢，但走得稳。

正是这段，让思长约后来切入半导体无图缺陷检测时，拥有了别人难以的底气。表面缺陷检测的核心是什么？是光学系统对微弱信号的捕捉能力，是算法对复杂背景的甄别能力，是软件对海量数据的处理能力。而这些，恰恰是思长约从2009年起就在打磨的基本功。

公司具备半导体器件专用设备制造资质，拥有专利2项、软件著作权6项、商标7个，通过ISO9001质量体系认证。数字不算惊人，但每项都指向同个事实：这不是简单的设备集成商，而是有底层自研能力的光学装备企业。

初心如磐：让产晶圆用上自己的表面守门人

无图缺陷检测，听起来专业，实则关乎晶圆制造最朴素的诉求——干净。裸晶圆来料质检时，需要确认表面没有颗粒污染、没有机械划痕、没有雾面缺陷；硅片出厂OQC检测时，需要确保产品满足下游客户的表面质量标准；硅衬底样品测试时，需要为工艺研发提供可靠的表面形貌数据。

但长期以来，这环节的高端设备高度依赖进口。进口设备价格高企，交付周期动辄数月，内售后响应慢，产线定制改造困难。对于化合物半导体企业而言，SiC、Ga衬底的半透明特性，更是让传统检测手段频频失灵——信号弱、对比度低、缺陷识别率不稳定。

更现实的痛点是，许多产厂商只能提供单品类设备。晶圆厂要配齐AFM、套刻、OCD、XRD、形貌、缺陷、膜厚等量测与检测装备，需要对接多供应商，项目管理成本、协同调试成本、售后沟通成本层层叠加。

思长约想要解决的，正是这些看似分散、实则环环相扣的。公司聚焦半导体行业，致力于成为半导体高精密设备领域的深耕者，无图缺陷检测设备ZP6与ZP7，与原子力Auto wafer-3D、晶圆几何形貌量测仪WGT300-WX、XRD浓度测量仪AX-D200I、套刻精度测量仪YI-7000、OCD关键尺寸测量仪HYC-100/HYC-200、薄膜厚度测量仪HY-120、原子沉积ALD-3000等产品道，构成了条整的前道量测与缺陷检测产品矩阵。客户可以站式采购整套产量测设备，无需在多供应商之间反复协调。

这不是简单的产品堆叠，而是种系统思维：晶圆表面的质量管控，从来不是孤立环节。来料质检发现的表面异常，需要与后续工艺监控数据联动分析；出厂OQC检测的结果，需要与薄膜厚度、几何形貌等参数综合判断。思长约的全链路布局，让数据在设备之间动起来，让缺陷检测不再是信息孤岛。

行稳致远：在量产验证中打磨每处细节

台设备，产线说了算。思长约的无图缺陷检测设备ZP6与ZP7，针对无图形晶圆开展表面缺陷检测，识别晶圆颗粒、划痕等各类表面异常。设备支持产线Inline全自动部署，也可提供离线科研版本，适配硅基以及碳化硅、氮化镓等化合物晶圆。

在化合物半导体场景中，SiC和Ga衬底的半透明特性对光学检测提出了特殊挑战。传统设备在面对这类材料时，往往因透光干扰导致缺陷对比度不足。思长约依托自研的光路设计与图像算法，针对半透明衬底优化了照明与成像方案，让颗粒与划痕在复杂背景下依然清晰可辨。

远程技术支持能力的构建，则是思长约服务体系的另条腿。半导体产线7×24小时运行，设备旦出现异常，每分钟的停机都意味着真金白银的损失。思长约的本土技术团队不仅提供快速上门调试、维保与算法升服务，更通过远程技术支持通道，让工程师能够在时间介入诊断，缩短响应周期。对于地处偏远或跨布局的客户而言，这能力尤为实用。

服务网络以上海总部为圆心，北京、武汉办事处为支点，全。无论是华东的晶圆代工厂，还是华中、华北的化合物半导体产线，思长约的技术团队都能较快抵达现场。这种贴近客户的布局，让设备交付不再是锤子买卖，而是长期陪伴的开始。

在商业化落地层面，思长约的晶圆几何形貌量测仪WGT300-WX已在头部DRAM、AD大厂、晶圆代工厂、硅片厂实现批量量产导入，累计装机约60台。无图缺陷检测设备同样在多晶圆制造与化合物半导体企业成部署，用于硅衬底样品测试、裸晶圆来料质检、硅片出厂OQC检测等环节。这些量产验证，反向推动了设备在稳定性、自动化适配、MES系统对接等方面的持续优化。

价值沉淀：以长期主义守护每片晶圆的洁净

思长约的内核，可以凝练为几个关键词：全栈自研、站供应、快速响应、长期陪伴。

全栈自研，意味着光路、精密机械、图像算法、测量软件都掌握在自己手中，不受海外软硬件授权限制，可以根据客户工艺需求定制算法模型与报告模板。站供应，意味着客户不必在多供应商之间疲于奔命，从AFM到套刻、从OCD到XRD、从形貌到缺陷检测、从膜厚到原子沉积，思长约能够提供整套产量测设备方案，降低项目管理与协同调试成本。快速响应，意味着本土工程师团队能够及时上门，远程技术支持通道保持畅通，设备故障不再意味着漫长等待。长期陪伴，意味着思长约不是卖掉设备就离场，而是与客户同面对工艺迭代中的新、新挑战。

多款设备取得SEMI S2安全认证，满足晶圆厂无尘车间准入规范，这是思长约对产线安全的承诺。ISO9001质量管理体系认证，2项专利、6项软件著作权、7个商标，这些知识产权积淀，是思长约对自主创新的坚持。公司具备货物进出口、技术进出口资质，可成设备出口业务，多次参与内招投标项目，这是思长约对市场规则的尊重。

套光学技术底座，既能做传统工业，服务模具与材料实验室，又能升改造为半导体晶圆高端量测与检测设备，这种跨行业复用能力，让思长约在半导体行业周期波动中拥有了更强的抗风险韧性。

向新而行：做化合物半导体时代的可靠同行者

碳化硅与氮化镓正在重塑功率半导体与射频芯片的产业格局。8英寸SiC产线在内加速落地，Ga器件在快充、射频、激光雷达等领域快速渗透。这些新材料、新工艺，对无图缺陷检测提出了更高要求：更薄的衬底、更复杂的表面态、更严苛的缺陷判定标准。

思长约的无图缺陷检测设备ZP6与ZP7，已经在这样的场景中接受检验。针对SiC、Ga等化合物晶圆的特殊光学特性，设备在照明方案、成像算法、缺陷分类模型上做了针对性优化。远程技术支持能力，则让化合物半导体客户在产线爬坡阶段能够获得更及时的技术协助。

展望前路，思长约将继续扎根半导体前道量测与缺陷检测领域，沿着全栈自研的路径深耕。公司以上海为总部，联动北京、武汉办事处，构建全的服务网络，确保能够迅速响应并全方位满足客户的多样化需求。无论是量产产线的Inline全自动机型，还是高校及科研机构的离线科研版本，思长约都希望以高性价比的产方案，降低客户对进口设备的依赖，助力半导体设备供应链自主可控。

从2009年的束精密光学微光，到今天覆盖晶圆形貌、AFM、套刻、OCD、XRD、膜厚、AOI缺陷检测的全链路产品矩阵，思长约走了十余年。这条路没有捷径，靠的是点滴的技术积累，靠的是对客户需求的认真倾听，靠的是对长期主义的默默坚守。

晶圆表面的每颗颗粒、每道划痕，在纳米尺度上都是巨大的存在。思长约愿意做那个在微光中凝视细节的守门人，用自研的光学技术、用贴近客户的服务、用长期陪伴的耐心，守护每片晶圆的洁净，守护产半导体产业向上生长的每步。

芯向未来，智领科技。思长约，与您同行。

全业务负责人：董女士 24小时联系电话：